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结课综合测验 数字集成电路基础

1. 使用方法

本测验覆盖第 1~23 章,满分 100 分,建议闭卷用时 150 分钟。先完成全部题目,再展开答案。计算题保留公式、单位和判断;设计题先画结构与逐拍表,再写文字。

2. 试题(100 分)

题 1 CMOS 门与功耗(10 分)

  1. 画出二输入 NAND 的互补 CMOS 上拉/下拉结构,说明四种输入下输出。(5 分)
  2. 写出动态开关功耗公式,说明四个主要变量。(3 分)
  3. 为什么输入慢边沿可能同时增加延迟和短路功耗?(2 分)

题 2 逻辑化简与组合模块(8 分)

化简 \(F=\overline AB+AB+A\overline B\),用 2 选 1 MUX 实现化简后的函数,并说明选择端与两个数据端的连接。

题 3 算术、位宽与关键路径(10 分)

  1. 计算 8 bit 无符号 0xD7 + 0x6E 的 8 bit 和及进位。(4 分)
  2. 判断同一位模式按 8 bit 二补码相加是否溢出。(3 分)
  3. 说明 32 bit 行波进位加法器的关键路径为何通常沿进位链。(3 分)

题 4 时序与亚稳态(12 分)

某路径 \(T=1000\) ps,\(t_{skew}=+30\) ps,\(U_{setup}=40\) ps,\(U_{hold}=15\) ps,\(t_{cq,max/min}=70/25\) ps,\(t_{comb,max/min}=760/35\) ps,\(t_{setup}=90\) ps,\(t_{hold}=35\) ps。

  1. 计算 setup 和 hold 裕量。(8 分)
  2. 哪项违例可通过增大周期直接改善?(2 分)
  3. 单比特异步电平怎样进入目标时钟域?(2 分)

题 5 FSM 与数据通路(10 分)

设计一个“收到 start 后连续累加 4 个输入样本”的模块。给出数据通路、控制状态、计数含义、busy/done 定义和启动/完成周期规则。

题 6 存储器与 RTL(10 分)

  1. 1024×24 bit 存储器容量是多少 bit 和 byte?地址多少位?(4 分)
  2. 写出同步读、同步写单端口 RAM 的周期契约。(3 分)
  3. 说明组合块为什么要完整赋值、时序块为什么使用非阻塞赋值。(3 分)

题 7 验证、综合与 STA(12 分)

为题 5 的模块制定最小验收方案:至少列出 4 类仿真用例、2 条断言、4 项综合检查和 5 项 STA/约束检查。

题 8 物理实现(10 分)

按顺序写出布局规划、放置、时钟树、布线、寄生提取和签核各自的主要输出;解释为什么布线后原本为正的建立裕量可能变负。

题 9 低功耗与制造测试(8 分)

  1. 比较时钟门控和电源门控的目标与代价。(4 分)
  2. 说明扫描链的 shift—capture—shift 流程,以及它改善的两个测试属性。(4 分)

题 10 完整设计复盘(10 分)

用“功能、时序、功耗、可测试性、可实现与可制造”五类证据审查一个小型数字核。每类至少写两个可交付证据,并说明所有报告为什么必须绑定同一冻结版本。

展开答案与评分要点

3. 答案与评分要点

题 1

NAND 下拉为两个 NMOS 串联,上拉为两个 PMOS 并联。只有 A=B=1 时下拉完整导通、输出 0;其余输入至少一个 PMOS 导通且串联下拉断开,输出 1。(5 分)

\(P_{switch}=\alpha C_LV_{DD}^2f\);四个变量为活动率、有效负载电容、供电电压和频率。(3 分)慢边沿延长门处于中间电平的时间,减小瞬时驱动并延长上下拉同时导通窗口,因此延迟和短路能量都可能增加。(2 分)

题 2

\[F=B+A\overline B=A+B.\]

\(A\) 作选择端:\(A=0\)\(F=B\),所以 \(D_0=B\)\(A=1\)\(F=1\),所以 \(D_1=1\)。真值、化简、MUX 连接和说明各占相应分值。(8 分)

题 3

数值和为 \(0x145\),8 bit 和为 0x45,最高进位 1。(4 分)按二补码,0xD7=-410x6E=110,结果 69,可由 0x45 表示;异号相加不产生二补码溢出。(3 分)行波结构每位进位依赖前一位,最坏情况下进位从 LSB 逐级传播到 MSB,逻辑级数随位数增长。(3 分)

题 4

\[S_{setup}=1000+30-40-90-70-760=70\ \text{ps},\]

\[S_{hold}=25+35-30-35-15=-20\ \text{ps}.\]

建立通过、保持违例。(8 分)增大周期直接增加基本 setup 可用时间,不修复同一边沿 hold。(2 分)保持足够久的单比特异步电平可用两级同步器;第一级只供第二级采样,不直接驱动功能逻辑。(2 分)

题 5

数据通路至少含输入/样本寄存器、累加寄存器、加法器和 2 bit 计数器;控制器可用 IDLE、RUN、DONE。IDLE 接受 start 并清和/计数,启动边沿是否采首样本必须明确;RUN 每个有效拍累加并计数,第四个样本后转 DONE;DONE 持续一拍,done=1,再回 IDLE。busy 只在 RUN 为 1。结构、状态、逐拍边界、输出定义和异常/复位各占分。(10 分)

题 6

容量 \(1024\times24=24576\) bit,即 3072 byte;地址 10 bit。(4 分)上升沿采样写使能、地址和写数据;同步读在边沿采样地址,读数据在边沿后有效;同址冲突语义要明确。(3 分)组合块完整赋值避免因保留旧值推断锁存器;非阻塞赋值让同一边沿的寄存器统一读取旧状态并在之后更新。(3 分)

题 7

仿真可含正常四样本、全零、全最大值、随机、忙时 start、复位打断;断言可检查 done |-> !busy、启动后规定拍数内完成、busy 时 start 不重启;综合检查无锁存器/多驱动/截断、寄存器与加法器位宽、FSM 可达性、警告归因;STA 检查时钟、I/O 最大最小延迟、不确定性、setup/hold、未约束端点、例外与 CDC。按数量、针对性和自动判定评分。(12 分)

题 8

布局规划输出 Core/宏/I/O/电源骨架;放置输出合法标准单元坐标;CTS 输出缓冲时钟树和真实叶节点延迟;布线输出合法金属/通孔几何;提取输出 RC/耦合;签核输出多场景时序、功耗/IR/EM、DRC/LVS 等结论。布线绕行、通孔、耦合和实际负载可让网络延迟超过放置估计,建立裕量转负。(10 分)

题 9

时钟门控减少空闲翻转,唤醒快,但增加 ICG、门控时序和测试旁路;电源门控降低漏电,但增加开关、隔离、保留和唤醒延迟。(4 分)扫描时先移入内部状态,切回功能模式捕获组合响应,再移出比较;它提高内部节点可控制性和可观测性。(4 分)

题 10

功能证据可含回归/断言/覆盖;时序含约束覆盖、setup/hold、CDC;功耗含活动率、平均/峰值、IR/EM/热;测试含扫描链、ATPG 故障覆盖、MBIST;实现制造含面积拥塞、DRC/LVS、等价与签核。冻结版本保证结论所检查的 RTL、网表、约束、版图、寄生和库相互对应,避免用旧报告证明新设计。(10 分)

4. 结果解释

得分 建议
90~100 基础主线完整,可选择一个方向深入并做真实工具项目
75~89 回看失分模块,完成贯穿式项目后再测一次
60~74 优先补时序、RTL/验证和完整流程三条主线
<60 按四次阶段复习逐段重建,不急着进入进阶内容